从氮化镓（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）于新能源汽车中的范围化运用，化合物半导体正加快重构半导体财产的竞争格式，为5G通讯、智能电网、工业机电驱动等范畴注入新动能。跟着市场对于高机能、高能效半导体器件需求的激增，海内化合物半导体项目层见叠出。近期，两个相干项目传出新进展，触及碳化硅与氧化镓。
瀚薪科技浙江丽水新建碳化硅封测设置装备摆设项目顺遂封顶5月27日，瀚薪科技经由过程全资子公司-浙江瀚薪芯昊半导体有限公司于丽水投建的“新建碳化硅封测设置装备摆设项目”主体布局正式封顶。
这一里程碑的告竣，标记着公司于第三代半导体财产化的征程中迈出了要害一步。将来瀚薪科技的产物出产将进一步实现自立可控，研发技能快速迭代，以期为客户提供更周全、更优质的碳化硅解决方案，助力“双碳”方针与新能源财产进级！
资料显示，瀚薪专注SiC功率器件研发与财产化超15年，拥有自立常识产权和国际领先的芯片设计、封装工艺与测试能力。公司产物已经经由过程车规级AEC-Q101和工规级JEDEC认证，与多家知名企业成立了慎密的互助瓜葛。
广州这个氧化镓外延项目行将投产近期，由中国香港科技年夜学霍英东研究院与中国香港科技年夜学（广州）结合孵化的“拓诺稀科技”传出新进展，其位在南沙的首个进步前辈出产厂房正式启用。
该厂房配备高尺度干净室举措措施及完美的出产研发配套，具有批量化外延制备能力，实现 “从试验室走向财产”，为年夜范围推进氧化镓外延产物走向市场奠基了坚实基础。
氧化镓（Ga₂O₃）作为一种具备超宽禁带的半导体质料，于高压功率电子、射频通信、光电探测等范畴揭示出巨年夜的运用潜力。由中国香港科技年夜学（广州）陈子强传授与其博士生配合创建的拓诺稀科技，聚焦在氧化镓外延薄膜的制备和高机能半导体器件的开发，是全世界独家经由过程MOCVD工艺实现了不变p型导电氧化镓外延层的企业，弥补了氧化镓质料系统中持久缺掉的p型导电空缺。
据悉，拓诺稀科技经由过程实现p型导电，使患上氧化镓质料具有构建pn结和其他双极型器件（如BJT、IGBT）的能力，显著拓展于新能源汽车、工业呆板人、电力能源等范畴的运用空间。团队采用自立研发的MOCVD外延和加工工艺，形玉成球独占的技能系统，撑持多层pn布局设计以实现差异化器件机能。工艺兼容半导体行业尺度装备，具有年夜范围量产与高度财产化的可行性，为晶圆加工及芯片集成提供坚实支撑。
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